• 公司新聞
• 行業動態
• 企業黨建

11

2026

-

05

白光干涉劃線輪廓測量，抑制鈣鈦礦電池漏電、降低串聯電阻

1 鈣鈦礦電池劃線輪廓質量對漏電與串聯電阻的影響鈣鈦礦電池模組制備核心工序中，激光劃線刻蝕是實現電池單元精準分割、層間電路串聯互聯的關鍵工藝，劃線溝槽的輪廓規整度...

09

2026

-

05

CMP拋光前后，晶圓表面粗糙度白光干涉測量方案

1 引言化學機械拋光（CMP）是半導體晶圓制程中核心平坦化工藝，拋光前后晶圓表面微觀粗糙度直接影響后續光刻、鍍膜等工序良率，是管控制程精度的關鍵指標。傳統接觸式測...

09

2026

-

05

Smr/Smr1/Smr2 支承長度率解讀，白光干涉儀粗糙度...

引言在精密機械配合、液壓密封結構、齒輪傳動及耐磨零部件加工領域，工件表面不僅需要控制基礎高低起伏粗糙度，更需精準把控微觀表面實體接觸承載能力。傳統高度類粗糙度參數...

09

2026

-

05

白光干涉儀，晶圓級封裝/Bump鍵合3D輪廓測量

摘要隨著晶圓級扇出封裝、TSV互連及精密Bump鍵合工藝高速發展，芯片封裝朝著微型化、高密度、高精度集成方向快速升級。晶圓級Bump鍵合作為芯片互連的核心工序，凸...

• 共104頁
• 首頁
• 上一頁
• ...
• 79
• 80
• 81
• 82
• 83
• 84
• 85
• 86
• 87
• 88
• ...
• 下一頁
• 尾頁