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芯片立體架構器件 (3D Architecture Devi...

在先進半導體三維集成工藝中，芯片立體架構器件（3D Architecture Device）的納米級微觀表面粗糙度，是決定器件電學指標（Electrical In...

芯片立體架構器件 (3D Architecture Device)微觀粗糙度不良，白光干涉儀穩定電學指標 (Electrical Index)

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USI 白光掃描：多層微納工件形貌檢測數據異常（Data A...

一、概述本文基于設備原廠手冊及公開技術資料，針對半導體低反透明介質/高反金屬基底復合結構，剖析USI（通用掃描干涉，Universal Scanning Inte...

USI 白光掃描：多層微納工件形貌檢測數據異常（Data Abnormality）機理分析

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白光干涉儀測量精度易實現，大視場高精度協同更具學術價值

白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）依托短相干干涉原理，亞納米級垂直測量精度較容易在小視場條件下達成。小視場檢測模式多用于...

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芯片淺溝槽隔離 (Shallow Trench Isolat...

淺溝槽隔離（Shallow Trench Isolation, STI）是CMOS器件核心電學隔離結構，核心原理為依托溝槽內填充氧化層，實現芯片有源區之間的絕緣隔...

芯片淺溝槽隔離 (Shallow Trench Isolation,STI)內壁粗糙度異常，白光干涉儀消除漏電風險 (Leakage Risk)

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