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    • 新啟航半導體有限公司


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      04
      2026
      -
      06
      基于光學3D輪廓儀深度標定優化光伏激光劃線與光電轉換效率研究
      摘要光伏、鈣鈦礦等薄膜光電器件激光劃線深度偏差會誘發基底損傷、薄膜殘留、斷路等缺陷,直接制約器件光電轉換效率提升。傳統二維測量、人工抽檢無法實現微納劃線深度精準質...
      基于光學3D輪廓儀深度標定優化光伏激光劃線與光電轉換效率研究
      04
      2026
      -
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      白光干涉儀(White Light Interferomet...
      一、引言超薄薄膜、超光滑樣品是半導體晶圓、精密光學元件、高能激光器件的核心基礎材料,其表面存在的納米級微劃痕、局部凹陷、顆粒凸起、薄膜厚度不均等微觀工藝缺陷,會直...
      白光干涉儀(White Light Interferometer, WLI)大視場(Large Field-of-View)測量在超薄薄膜工藝缺陷檢測中的應用
      04
      2026
      -
      06
      MEMS 芯片表面粗糙度 (Surface Roughnes...
      MEMS 芯片表面粗糙度直接決定器件摩擦損耗、電學穩定性與傳感精度,晶圓研磨、薄膜沉積、干法刻蝕、濕法清洗工序中,拋光壓力波動、沉積速率失穩、刻蝕殘留顆粒、腔體潔...
      MEMS 芯片表面粗糙度 (Surface Roughness) 超標,白光干涉儀優化制程提升器件性能 (Device Performance)
      03
      2026
      -
      06
      USI 白光掃描:多層微納工件形貌檢測數據異常(Data A...
      本文基于商用白光干涉設備官方技術手冊、半導體微納檢測國標規范及公開招標技術參數,分析USI(通用掃描干涉,Universal Scanning Interfero...
      USI 白光掃描:多層微納工件形貌檢測數據異常(Data Abnormality)機理分析
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