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        新啟航半導(dǎo)體有限公司


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        03
        2026
        -
        06
        白光干涉儀在鈣鈦礦光伏激光劃線工藝的精密測(cè)量應(yīng)用
        一、鈣鈦礦光伏激光劃線死區(qū)損耗痛點(diǎn)鈣鈦礦光伏組件規(guī)模化量產(chǎn)中,P1-P2-P3激光劃刻工藝形成的溝槽區(qū)域?yàn)殡姵匕l(fā)電死區(qū),僅承擔(dān)電路隔離與導(dǎo)通作用,無(wú)光電轉(zhuǎn)換能力,...
        白光干涉儀在鈣鈦礦光伏激光劃線工藝的精密測(cè)量應(yīng)用
        02
        2026
        -
        06
        微透鏡表面粗糙度白光干涉解析及工藝優(yōu)化方案
        一、行業(yè)痛點(diǎn)與檢測(cè)瓶頸表面粗糙度是決定微透鏡透光率、抗散射性能與成像精度的核心指標(biāo),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、精密光學(xué)領(lǐng)域的微透鏡,多通過(guò)注塑、模壓、納米壓印工藝成型。生...
        微透鏡表面粗糙度白光干涉解析及工藝優(yōu)化方案
        02
        2026
        -
        06
        白光干涉儀超光滑樣品微觀缺陷識(shí)別與晶圓檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用
        一、超光滑樣品加工檢測(cè)痛點(diǎn)超光滑樣品廣泛應(yīng)用于精密光學(xué)器件、半導(dǎo)體基底、激光傳輸元件等高端制造領(lǐng)域,其加工質(zhì)量直接決定器件光學(xué)性能與服役壽命。樣品在研磨、拋光、清...
        白光干涉儀超光滑樣品微觀缺陷識(shí)別與晶圓檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用
        02
        2026
        -
        06
        MEMS結(jié)構(gòu)臺(tái)階高度偏差的白光干涉儀干法刻蝕制程排查研究
        臺(tái)階高度是MEMS微結(jié)構(gòu)核心尺寸參數(shù),直接決定微懸臂梁、傳感腔體等結(jié)構(gòu)的裝配精度與使用性能。干法刻蝕作為MEMS晶圓制備核心制程,腔體真空度、射頻功率、氣體流量的...
        MEMS結(jié)構(gòu)臺(tái)階高度偏差的白光干涉儀干法刻蝕制程排查研究
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