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    新啟航半導體有限公司


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    02
    2026
    -
    06
    白光干涉儀高精度檢測技術 賦能光伏激光劃線與薄膜分層量產質控
    一、鈣鈦礦電池制程質控痛點與檢測需求激光劃線臺階深度是鈣鈦礦電池串聯結構制備的核心工藝參數,直接決定膜層剝離精度與器件電學性能,是影響量產良率的關鍵指標。當前行業...
    白光干涉儀高精度檢測技術 賦能光伏激光劃線與薄膜分層量產質控
    01
    2026
    -
    06
    MEMS芯片薄膜厚度異常的白光干涉儀溯源檢測及晶圓工藝隱患解...
    薄膜厚度均勻性是決定MEMS芯片電學、力學性能穩定性的關鍵工藝指標。晶圓制備過程中,薄膜沉積、蝕刻、基材預處理等工序的參數波動,易造成膜厚偏差、局部厚薄不均等批量...
    MEMS芯片薄膜厚度異常的白光干涉儀溯源檢測及晶圓工藝隱患解決
    01
    2026
    -
    06
    微透鏡矢高尺寸失準,白光干涉儀判定結構成型工藝問題
    一、微透鏡矢高工藝缺陷及傳統檢測局限矢高(Sag Height)是微透鏡核心幾何參數,定義為透鏡頂點至有效口徑端面的垂直高度,直接決定微透鏡焦距、數值孔徑及光學耦...
    微透鏡矢高尺寸失準,白光干涉儀判定結構成型工藝問題
    01
    2026
    -
    06
    基于白光干涉儀的晶圓表面粗糙度及加工工藝檢測分析
    半導體超光滑晶圓構件是高端芯片、精密光學、激光系統的核心基礎元件,其CMP拋光、研磨等工序易產生納米級劃痕、局部凹陷、顆粒凸起、面形畸變等微觀缺陷。傳統二維檢測設...
    基于白光干涉儀的晶圓表面粗糙度及加工工藝檢測分析
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