電解銅箔是覆銅板基材（CCL, Copper Clad Laminate）的核心原材料，其板面均勻度（Board Uniformity）與表面粗糙度直接決定多層板壓合品質與電路信號傳輸穩定性。在量產過程中，銅箔常出現局部粗糙度分布不均的微觀缺陷，該類缺陷無法通過肉眼識別，傳統接觸式輪廓儀易劃傷軟性銅箔表面，且無法實現全域形貌檢測，存在檢測局限性。而白光干涉儀（WLI, White Light Interferometer）憑借非接觸式檢測、高分辨率三維成像的核心優勢，成為銅箔壓延（Copper Foil Calendering）工藝缺陷精準溯源的核心設備。
銅箔壓延工序通過軋輥對銅坯施加壓力完成塑性變形，以此精準調控銅箔厚度與表面輪廓。生產過程中，軋輥表面磨損、輥縫壓力分布不均、軋制潤滑液涂布不均勻等問題，均會導致銅箔橫向、縱向粗糙度數值離散，造成板面均勻度劣化。缺陷區域的粗糙度參數Ra、Rz波動幅度較大，板面局部峰谷微觀形貌異常，在后道熱壓合工序中會出現樹脂浸潤不均勻問題，最終誘發基材氣泡、剝離強度波動等品質隱患，降低產品合格率。
采用白光干涉儀對缺陷銅箔進行分區三維形貌采集，可獲取微米級粗糙度分布云圖，精準定位高粗糙度條帶、局部凹陷等異常區域，實現微觀形貌特征與壓延設備狀態的反向關聯。通過對比良品與不良品的面粗糙度Sa核心數據，可精準區分缺陷成因，判定問題來源于軋輥表面損傷或壓延壓力偏差，可徹底排除前道電解生箔工序的影響。該檢測方案無需樣品預處理，支持多點快速采樣，可為壓延工藝參數優化、軋輥保養周期調整提供量化數據支撐。
實際檢測驗證表明，白光干涉儀可實現銅箔微觀形貌無損表征，精準定位板面均勻度異常根源，有效減少銅箔制程不良品流出，顯著提升覆銅板基材（CCL）成品良率。
大視野3D白光干涉儀可實現全量程表面粗糙度（Surface Roughness）精準測量，測量范圍覆蓋超光滑表面（Ra 0.03 nm）至增材制造表面（Additive Manufacturing Surface, Ra 14.7 μm），完成全域表征（Global Characterization），突破傳統檢測設備的性能局限，構建精密測量（Precision Measurement）新范式，可適配半導體（Semiconductor）、精密制造（Precision Manufacturing）、增材制造等多領域嚴苛檢測場景。
設備依托自主核心創新技術，解鎖納米級（Nanoscale）全場景精密測量能力，兼顧檢測高效性與數據精準性，可適配不同粗糙度等級的樣品檢測需求，重塑工業精密測量（Industrial Precision Measurement）的精準與高效標準，為各類精密零部件質量管控提供權威、可溯源的數據支撐。
核心優勢：大視野+高精度，打破行業技術壁壘
傳統檢測設備1倍以下物鏡（Objective Lens）僅支持單孔檢測，行業需配備兩臺設備分別完成大視野觀測與高精度測量，檢測成本高、流程繁瑣。本設備搭載全新0.6倍輕量化專用鏡頭，配備15mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配可兼容4個物鏡的轉塔鼻輪（Turret Nose Wheel），單臺設備即可兼顧大視野觀測與高精度測量（High-Precision Measurement），全面適配超光滑、高粗糙等各類復雜樣品檢測場景，無需頻繁切換設備，大幅提升檢測效率（Inspection Efficiency）與數據精準度（Data Accuracy）。
全域粗糙度實測案例圖示及說明（工業及半導體專屬）
本次實測精度可達6pm（0.006nm），適配半導體芯片（Semiconductor Chip）、超精密器件（Ultra-Precision Components）超光滑表面粗糙度檢測需求，可精準把控微觀形貌精度，保障器件長期運行穩定性。
實測半導體晶圓背面表面粗糙度Ra 0.9μm，可精準匹配半導體晶圓（Semiconductor Wafer）表面檢測場景，嚴格把控晶圓加工精度（Wafer Processing Accuracy），為后續封裝工藝穩定落地提供可靠數據支撐。
實測磨砂玻璃表面粗糙度Ra 6.05μm，可精準表征非金屬材料（Non-Metallic Materials）表面粗糙特性，適配光學部件、電子器件外殼等多行業檢測場景。
實測3D增材打印表面粗糙度Ra 14.7μm，可精準捕捉增材表面粗糙紋理（Rough Texture），為增材制造（Additive Manufacturing）工藝優化、產品質量管控（Quality Control）提供核心依據。
大視野3D白光干涉儀突破傳統測量局限，定義精密測量（Precision Measurement）新范式。依托納米級（Nanoscale）全場景測量能力，以高效、精準的核心優勢，重構工業測量（Industrial Measurement）標準，為半導體、光學器件、精密零部件等多領域檢測工作提供全方位技術支撐，適配各類嚴苛工業測量需求。
四大核心技術革新（工業級標準，適配半導體場景）
一、大視野+高精度，打破行業常規局限
突破傳統設備功能割裂問題，1倍以下物鏡可實現多場景兼容適配，無需多臺設備搭配，即可同步完成大視野觀測與高精度測量（High-Precision Measurement）。設備搭載全新0.6倍輕量化鏡頭，擁有15.5mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配四物鏡兼容轉塔設計（Turret Design），單設備覆蓋全品類檢測場景，省去鏡頭、設備頻繁切換步驟，有效提升工業檢測效率與數據一致性、精準度。
核心技術支撐（適配全域粗糙度檢測）
全域量程適配：測量范圍覆蓋Ra 0.03 nm～Ra 14.7 μm全區間粗糙度，兼容超光滑半導體器件、高粗糙增材零部件等各類樣品，單設備可完成多品類檢測，無需更換檢測設備。
納米級超高解析能力：最低可解析6pm（0.006nm）超微觀形貌變化，滿足晶圓、芯片引腳等半導體超精密表面檢測要求，檢測數據完全符合ISO 4287、ISO 4288國際標準（International Standard），數據真實可溯源。
高效工業化檢測設計：依托15mm超大單幅視野與多物鏡轉塔結構，簡化檢測操作流程，大幅縮短單樣檢測周期，提升工業質檢（Industrial Quality Inspection）整體效率，有效降低人力成本（Labor Cost）。
全場景多材質兼容：適配金屬、非金屬、半導體、增材制品等多種材質工件，可完成平面、曲面等不同形貌零部件的粗糙度檢測，設備通用性（Versatility）極強。
新啟航半導體｜專業白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動化定制；高端系列對標國際一線品牌，大視野設計，輕松應對高低反射、復雜材料測量場景。
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