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02

2026

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06

白光干涉儀高精度檢測(cè)技術(shù) 賦能光伏激光劃線與薄膜分層量產(chǎn)質(zhì)控

一、鈣鈦礦電池制程質(zhì)控痛點(diǎn)與檢測(cè)需求激光劃線臺(tái)階深度是鈣鈦礦電池串聯(lián)結(jié)構(gòu)制備的核心工藝參數(shù)，直接決定膜層剝離精度與器件電學(xué)性能，是影響量產(chǎn)良率的關(guān)鍵指標(biāo)。當(dāng)前行業(yè)...

01

2026

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06

MEMS芯片薄膜厚度異常的白光干涉儀溯源檢測(cè)及晶圓工藝隱患解...

薄膜厚度均勻性是決定MEMS芯片電學(xué)、力學(xué)性能穩(wěn)定性的關(guān)鍵工藝指標(biāo)。晶圓制備過(guò)程中，薄膜沉積、蝕刻、基材預(yù)處理等工序的參數(shù)波動(dòng)，易造成膜厚偏差、局部厚薄不均等批量...

01

2026

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06

微透鏡矢高尺寸失準(zhǔn)，白光干涉儀判定結(jié)構(gòu)成型工藝問(wèn)題

一、微透鏡矢高工藝缺陷及傳統(tǒng)檢測(cè)局限矢高（Sag Height）是微透鏡核心幾何參數(shù)，定義為透鏡頂點(diǎn)至有效口徑端面的垂直高度，直接決定微透鏡焦距、數(shù)值孔徑及光學(xué)耦...

01

2026

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06

基于白光干涉儀的晶圓表面粗糙度及加工工藝檢測(cè)分析

半導(dǎo)體超光滑晶圓構(gòu)件是高端芯片、精密光學(xué)、激光系統(tǒng)的核心基礎(chǔ)元件，其CMP拋光、研磨等工序易產(chǎn)生納米級(jí)劃痕、局部凹陷、顆粒凸起、面形畸變等微觀缺陷。傳統(tǒng)二維檢測(cè)設(shè)...

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